我們已經介紹了 TOSHIBA EAS規格了，本篇我們將介紹如何去計算與電流相關的雪崩能量。 首先我們先計算MOSFET的Tch 溫度,公式如下請參考公式1， 公式3：（註一：Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET）。 下一步是考慮雪崩週期長度「tw」正常情況下，雪崩週期長度「tw」是使用參數 「L」根據 V=L dI/dtw 等公式計算得出的，但這個參數是未知的,因此我們要先去除"L"，使用另一個與時間相關的參數熱阻，雪崩週期的熱阻「rth(ch-a)_tw」是與雪崩週期相關的參數之一長度,大多數情況下雪崩週期tw 小於1ms.在這種情況下，熱生成集中在 MOSFET 晶片內部,熱阻可近似為下列公式4：   公式4：（註一：Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET）。 再來我們將公式3代入公式4,我們可以得到公式5,如下:  公式5：（註一：Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET）。 根據該公式5,我們可以根據測量值和EAS規格計算雪崩週期 tw範圍了。 |
