對策是通過增加降噪電路或增加零件來降低雜訊的三個方法: 1. 增加緩衝電路: 增加緩衝電路是降低雜訊的常用手法。本文中採用在輸出端增加緩衝電路，其實在輸入端也可以增加。在本例中，通過在開關節點增加RC， 起到將開關引發的高頻ringing引到GND的作用。 但是，增加緩衝電路會產生損耗。為了增加效果而提高電容的容值的話，電阻需要能夠額定其功率。下面為緩衝電路損耗的公式和計算示例。
損耗計算示例) 緩衝電阻10Ω、緩衝電容1000pF、輸入電壓12V、振盪頻率1MHz時的電阻額定損耗 1000pF × 122 × 1MHz ＝ 0.144W ⇒ 電阻的額定功率需要在MCR18(3216)：0.25W以上 在high side使用N-ch MOSFET的IC中,有boot pin。它具有將輸出電壓供給bootstrap電路（多內建於IC中），並為high side MOSFET提供足夠的gate驅動電壓的功能。 由於BOOT引腳連接於開關節點，因此通過在這裡插入電阻，可減緩high side MOSFET導通時的上升速度，從而抑制開關導通時的雜訊。缺點是開關時間會變慢， 使MOSFET的開關損耗增加。
這是通過在high side MOSFET的閘極驅動器和閘極間插入電阻,來限制閘極電荷,使high side MOSFET的上升和下降平緩，從而降低ON/OFF時雜訊的方法。 Key point: 緩衝電路可減少開關時的ringing,但效果和損耗之間存在取捨(Trade-off)關係。 Bootstrap電路增加電阻可減少上升時的雜訊,但MOSFET的開關損耗會增加。 在閘極插入電阻可降低上升和下降時的雜訊,但MOSFET的損耗會增加。另外,如果是MOSFET內建型的IC則無法插入電阻。 |
