方程式8
此结果超过了一个高接收器I/O端口的最大MCU电流能力。这IGmax电流可以通过2个并行的输入/输出端口吸收。VOLmin的估算为同时下沉10 mA的四个高接收器输入/输出端口提供。VGTmin取决于 负载电流。较低的负载电流意味着较高的VGTmin，因此较低的IGmax。 示例6：3.3 V±5%的STM32+Z0103 规定值：RG=300Ω，VDD=3.3 V，VGT最小值=–0.1 V 计算值：VDD最大值=1.05 x 3.3 V=3.47 V 电压最小值（IGT=8 mA）=0.4 V IG max由以下公式得出： 方程式9
MCU能够提供足够的栅极电流。对VOLmin的估计如下： 为STM32的一个I/O端口提供（当8个I/O端口同时下沉，每个端口的电流为8 mA时时间）。 2.4计算摘要 本节总结了示例1至示例6中使用的设备的计算。 ΔIG描述了最大和最小栅极电流之间的差值对电源额定值的影响。 方程式10
平均电流消耗基于最大值为 在半个周期内连续达到，即栅极电流为平方形式。 然后，最大平均栅极电流是正极最大值的平均值 和负半波：
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