如果重新应用的（dV/dt）c增加，则（dI/dt）c的值降低。（dI/dt）c的值如果结温升高，也会显著降低。图5给出了（dI/dt）c无缓冲双向晶闸管的结温相对变化意法半导体。该设备为BTB12-600CW（12 A、600 V、35 mA Igt）。无缓冲器表示已选择规定的（dI/dt）c，以保证重新应用（dV/dt）c[见参考文献1。]因此，无需添加R-C缓冲电路通过双向晶闸管来帮助其关闭[参见参考文献2] 图5：。BTB12-600CW（dI/dt）c随结温的变化
2、改进新型高温双向晶闸管的关断能力 如前所示（如图5所示），（dI/dt）c随模具急剧下降温度例如，在150°C时，BTB12-600CW的性能将降低35%与125°C相比，这种35%的下降对于所有TRIAC来说都很常见。仅作为dI/dtOFF取决于均方根负载电流（如下式所示），150°C时的双向晶闸管能够以35%的低功耗驱动负载。 方程式1
当然，不能接受这样的负载功率降额。补偿此降额如果设备设计者想要增加工作温度。意法半导体公司改进了设备的设计，以提高双向晶闸管（TRIAC）的关断能力。 以下模拟表明了设计可以获得的结果改进。图6给出了两种不同设备的仿真结果。一个人能够关掉，另一个不关。 图6：。两种不同双向晶闸管的仿真结果
这种突破性的设计极大地提高了设备的高温性能应用。
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