nMOS、pMOS晶体管及其等效开关模型

    MOS管（nMOS、pMOS）是电压控制开关，在栅极的电压控制源漏之间的通道。

    NMOS（N-Mental-Oxide-Semiconductor）：NMOS是指p型衬底、n沟道，靠电子的流动运送电流的MOS管；

    PMOS（positive channel Metal Oxide Semiconductor）：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。

    nMOS晶体管：

    1．四个端子：栅极、源极、漏极、衬底。

    2．栅-氧-衬底堆叠像电容结构一样：栅极和衬底是导体；氧化层是很好的绝缘体，称为金属氧化半导体（MOS）电容；栅极不一定用金属制作，一般可以采用多晶硅制作。

    图15　nMOS晶体管电路结构图