场效应三极管的主要参数

    1．开启电压U_GS(th)(或U_T)

    开启电压是增强型MOS管的一个重要参数，栅源电压u_GS小于开启电压U_GS（th）的绝对值，场效应管不能导通。

    2．夹断电压U_GS(off)(或U_P)

    夹断电压是耗尽型MOS管的重要参数，当u_GS=U_GS(off)　时，漏极电流i_D为零。

    3．饱和漏极电流IDSS

    对于耗尽型场效应三极管，当u_GS=0时所对应的漏极电流即为I_DSS。

    4．直流输入电阻R_GS

    场效应三极管的栅源之间的输入电阻。典型值是，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅场型效应三极管，RGS约是10⁹～10¹⁵Ω。

    5．低频跨导gm

    低频跨导反映了栅源电压u_GS对漏极电流i_D的控制作用，这一点与电子管的控制作用十分相像。g_m的定义为

    gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mA/V，即mS(毫西门子)。

    6．最大漏极功耗P_DM

    最大漏极功耗可由P_DM=u_DSi_D决定，与双极型三极管的P_CM类似。

    7．漏源击穿电压U_(BR)DS

    U_(BR)DS定义为当漏极电流i_D急剧上升产生雪崩击穿的漏源电压。正常工作时，漏源电压不能超过这个值。

    8．栅源击穿电压U_(BR)GS

    保证栅源间的PN结不被击穿，栅源之间所能加的最大电压。