三极管的特性曲线

    三极管的伏安特性曲线可由共射接法的输入特性曲线和输出特性曲线来说明：

    1．输入特性

    在此，以共射接法为例讨论三极管的特性曲线。

    当u_CE不变时，输入电压u_BE和输入电流i_B之间的关系曲线称为三极管的输入特性，即输入特性曲线：。如图1.3.4所示。

图1.3.4　共发射极接法输入特性曲线

    由图可知，三极管的输入特性曲线和二极管的伏安关系曲线基本相同，不过在u_CE增大时曲线略有右移。由于载流子浓度和运动规律的原因，当u_CE大于某一个数值后，输入曲线基本不再随u_CE的增加而右移。

    2．输出特性线

    输出特性曲线指当输入电流i_B不变时，输出回路电压u_CE和输出电流i_C之间的关系，输出特性曲线：，如图1.3.5所示。它可分三个区：截止区、饱和区、放大区。

图1.3.5共发射极接法输出特性曲线（视频如下）

    （1）　截止区

    i_B≤0的区域称为截止区，即图1.3.5中的A所指的区域。此时发射结上加的电压u_BE不足以克服发射结的死区电压，甚至发射结处于反向偏置状态（u_BE＜0，所以形成的i_C（或i_E）很小，仅有很小的穿透电流I_CEO。

    （2）　饱和区

    当u_BE＞0（发射结处于正偏）且克服了发射结的死区电压时，三极管即脱离截止区，i_B开始出现。若u_CE＜u_BE，则此时集电结处于正偏状态，不利于基区电子的收集，所以此时基本上不随基极电流而变化，这种现象称为饱和，即图1.3.5中的C所指的区域。在饱和区三极管失去了放大作用，此时的i_C和i_B之间的关系不是β倍。而当u_CE逐渐上升直至开始反偏（u_CE＞u_BE）这一段，随着的u_CE上升i_C将表现为迅速增长，最终脱离饱和进入放大区。

    （3）　放大区

    当i_B一定时，从发射区扩散到基区的电子数大体上是一定的，在u_CE超过一定数值后（约1V），这些电子绝大部分已被集电结收集形成i_C，当u_BE继续加大后，i_C也不再有明显的增加，具有恒流特性，即图1.3.5中的B所在的区域。只有当i_B增大时，相应的i_C也增大，而且比i_B增大的更多，这就是三极管的电流放大作用。