以反相器为例说明数字电路的设计、制造流程

如何做多晶硅？

    先沉淀一层薄的氧化层，然后进行硅的化学蒸气沉积CVD，形成导电性能好的多晶硅。

    沉淀很薄的栅氧化层，小于20A（6-7个原子层）

    Si层的化学气沉淀：

    把晶圆放置在SiH4的熔炉中；

    形成许多多晶硅；

    重掺杂得到优良的半导体。

    同样采用平版印刷工艺进行多晶硅（栅级）形状印刷定制，多晶硅布线，利用同样的光刻工艺制作多晶硅。

    然后进行自对准，利用氧化物和掩膜曝光n+杂质区，N扩散形成nMOS源漏和N阱接触。

    如何做nMOS管源、漏级？

    对要做nMOS管源、漏级，N阱接触孔的地方进行高浓度N型物质掺杂N扩散：

    制作氧化物并形成n+区，利用自对准工艺在栅极区扩散，对于自对准栅来说，多晶硅比金属好，因为在后面的工艺中没有溶解。