以反相器为例说明数字电路的设计、制造流程

 如何做N阱？

    制造步骤：

    从空的晶圆开始，由底向上制作反相器，第一步将形成N阱：

    用SiO2保护层覆盖晶圆；

    除去N阱需要制作的地方的保护层；

    掺杂或扩散N型杂质到暴露的晶圆上；

    去掉SiO2。

    ①用氧化炉氧化整个晶片

    氧化：在Si晶圆上面生长SiO2，利用H2O或O2在900~1200 0C的熔炉中氧化。

    ②整个晶片涂上光刻胶

    光刻胶是光敏感有机聚合物将整个晶片图上光刻胶，暴露在光线中的部分融化。

    ③光刻

    光刻：平版印刷，并在做N阱的位置用N阱掩模（mask）曝光光刻胶，然后去掉被曝光的光刻胶。

    ④刻蚀

    用氢氟酸蚀刻N阱位置的氧化物。

    ⑤剥去光刻胶

    剥掉其他部分的光刻胶。

    ⑥制作N阱

    N阱通过扩散或者离子注入形成扩散：

    把晶圆放在砷气的熔炉中；

    加热直到As原子扩散到暴露的Si中离子注入；

    利用As离子束冲击晶圆；

    离子被SiO2阻止，仅进入暴露的硅。

    ⑦去掉其他部分的氧化层

    利用HF酸去掉余留的氧化层，回到N阱裸晶圆，紧接着的步骤与之前相似。