CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor):即互补金属氧化物半导体,是一种电压控制的放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元。 图21 CMOS反向器 VIN为低电平时:M1截止,M2导通,VOUT=VDD VIN为高电平时:M1导通,M2截止,VOUT=0 图22 CMOS反向器真值表与符号
图23 CMOS反向器 图24 CMOS反向器 CMOS反相器有以下优点: 传输特性理想,过渡区比较陡; 逻辑摆幅大:VOH=VDD,VOL=0; 一般VM位于电源VDD的中点,即VM=VDD/2,因此噪声容限很大; 只有在状态转换为b-e段时两管才同时导通,才有电流通过,因此功耗很小; CMOS反相器是利用P、N管交替通、断来获取输出高、低电压的,而不象单管那样为保证VOL足够低而确定P、N管的尺寸,因此CMOS反相器是无比(Ratio-Less)电路。 |
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