晶体管最大耗散功率

　　最大耗散功率（Maximum dissipation power）： 　　（1）对于双极型晶体管： 　　BJT的总耗散功率为Pc=Ie Vbe + Ic Vcb + Ic rcs ≈ Ic Vcb），并且Pc关系到输出的最大交流功率Po：Po = (供给晶体管的直流功率Pd) – (晶体管耗散的功率Pc) = [η/(1–η)]Pc ∝ Pc，即输出交流功率与晶体管的耗散功率成正比（η= Po / Pd是转换效率）。晶体管功率的耗散(消耗)即发热，如果此热量不能及时散发掉, 则将使集电结的结温Tj升高, 这就限制了输出功率的提高；最高结温Tjm（一般定为175 oC）时所对应的耗散功率即为最大耗散功率Pcm 。为了提高Po，就要求提高Pc, 但Pc的提高又受到结温的限制，为使结温不超过Tjm，就需要减小晶体管的热阻Rt；最大耗散功率Pcm ∝1/ Rt 。最高结温Tjm时所对应的最大耗散功率为(Pcms≥Pcm )：稳态时， Pcm = (Tjm–Ta) / Rt ；瞬态时，Pcms = (Tjm–Ta) / Rts 。 　　提高PCM的措施，主要是降低热阻RT和降低环境温度Ta ；同时，晶体管在脉冲和高频工作时, PC增大, 安全工作区扩大，则最大耗散功率增大，输出功率也相应提高。 　　（2）对于MOSFET： 　　其最大输出功率也要受到器件散热能力的限制：Pcm = (Tjm–Ta) / Rt，MOSFET的最高结温Tjm仍然定为175 oC, 发热中心是在漏结附近的沟道表面处, 则Rt主要是芯片的热阻 (热阻需要采用计算传输线特征阻抗的方法来求出)。