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沟道穿通效应

2011-12-30 09:32| 发布者: 闪电| 查看: 484| 评论: 0

摘要:   沟道穿通效应(Channel punchthrough effect )就是场效应晶体管的源结与漏结的耗尽区相连通的一种现象。这种效应是在小尺寸场效应晶体管中有可能发生的一种效应,因此也往往就是限制MOSFET尺寸缩小的一种重要的 ...
  沟道穿通效应(Channel punchthrough effect )就是场效应晶体管的源结与漏结的耗尽区相连通的一种现象。这种效应是在小尺寸场效应晶体管中有可能发生的一种效应,因此也往往就是限制MOSFET尺寸缩小的一种重要的因素。这是VLSI中很值得重视的一个问题。
  沟道穿通效应的影响:当沟道一穿通,就使源-漏间的势垒显著降低,则从源往沟道即注入大量载流子,并漂移通过源-漏间的空间电荷区、形成一股很大的电流;此电流的大小将受到空间电荷的限制,是所谓空间电荷限制电流(与源漏电压的平方成正比,与沟道长度的立方成反比)。这种空间电荷限制电流是与栅压控制的沟道电流相并联的,因此沟道穿通将使得通过器件的总电流大大增加;并且在沟道穿通情况下, 即使栅电压低于阈值电压,源-漏间也会有电流通过。

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