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初学入门

锁存型霍尔IC的定义和典型应用实例
锁存型霍尔IC的定义和典型应用实例
全面认知·锁存型霍尔IC霍尔IC是一种能够进行高/低电平数字信号输出的传感器,交替检测S极和N极磁场的霍尔IC被称为锁存型霍尔IC。什么是锁存型霍尔IC?锁存型霍尔IC通过磁铁S极和N极的磁极切换进行工作(参见《全面 ...
2025-7-11 09:40
天线的工作原理、分类及性能指标
天线的工作原理、分类及性能指标
在当今的通信技术浪潮中,天线作为射频领域不可或缺的关键组件,扮演着至关重要的角色。它犹如无线电设备的“触角”,负责将传输线上的导行波与空间中的电磁波相互转化,实现信号的发射与接收。从日常的手机通信到神 ...
2025-7-9 09:38
揭秘独立ADC的四大优势
揭秘独立ADC的四大优势
现代微控制器(MCU)中常常集成了模数转换器(ADC),独立ADC 似乎正慢慢退出舞台。其实不然,对于从事工业、仪器仪表和嵌入式应用的系统设计人员来说,独立 ADC 仍然是设计中不可或缺的组件,因其在性能、布局灵活 ...
2025-7-9 09:33
基于TSV的三维集成电路制造技术
基于TSV的三维集成电路制造技术
本文主要介绍基于TSV的三维集成电路的相关知识。三维集成电路工艺技术因特征尺寸缩小与系统复杂度提升而发展,其核心目标在于通过垂直堆叠芯片突破二维物理极限,同时满足高密度、高性能、高可靠性及低成本的综合需 ...
2025-7-9 09:26
霍尔IC的原理和分类
霍尔IC的原理和分类
全面认知·霍尔IC霍尔IC是一种能够进行高/低电平数字信号输出的传感器,便于后端驱动器和微控制器进行数据处理,因此被广泛应用于各种白色家电和工业设备中。本页将介绍霍尔IC的原理和分类。霍尔IC的原理霍尔IC由霍 ...
2025-7-9 09:25
CMOS的逻辑门如何应用在电路中
CMOS的逻辑门如何应用在电路中
在如今的电子电路中,CMOS逻辑门有着接近零静态功耗和超高集成度的特点,是数字电路不可或缺的存在。其独特之处在于PMOS与NMOS晶体管的互补设计:当输入低电平时,PMOS导通实现电流上拉;输入高电平时,NMOS导通完成 ...
2025-7-7 09:45
使用热插拔控制器应对48V AI服务器的保护挑战
使用热插拔控制器应对48V AI服务器的保护挑战
本期,为大家带来的是《使用热插拔控制器应对 48VAI服务器的保护挑战》,将探讨使用热插拔控制器和并联MOSFET设计前端保护时,高功耗以及快速和瞬态动态特性带来的挑战,并给出建议解决方案。简介随着人工智能(AI) ...
2025-7-7 09:11
一文详解霍尔传感器
一文详解霍尔传感器
全面认知·霍尔传感器磁传感器中,利用霍尔效应制成的传感器被称为霍尔传感器。霍尔传感器分为,把利用霍尔效应获得的霍尔电势(VH),直接作为输出的霍尔元件,和把霍尔元件输出通过后段IC处理后输出高低电平数字信 ...
2025-7-7 09:07
闩锁效应的形成原理和测试流程
闩锁效应的形成原理和测试流程
01Latch up概念在CMOS电路中,存在寄生的PNP和NPN晶体管,它们相互影响在VDD与GND间产生一低阻通路,形成大电流,烧坏芯片,这就是闩锁效应,简称latch-up。02重要性随着IC特征尺寸越来越小,集成度越来越高,闩锁效 ...
2025-7-4 11:10
线性稳压器IC设计中的基本特性与注意事项
线性稳压器IC设计中的基本特性与注意事项
本文将介绍线性稳压器IC设计中的基本特性与注意事项。除输入输出电压差、瞬态响应与纹波抑制比之间的关联性外,还会详细阐述输出和输入电容器的选型与布局要点。另外,还会通过浮动工作状态下如何抑制纹波电压升高、 ...
2025-7-3 15:47
IGBT模块上桥臂驱动电路原理详解
IGBT模块上桥臂驱动电路原理详解
IGBT模块上桥臂的驱动上桥臂和下桥臂:IGBT以发射极电压为基准电位驱动。开关动作时,上桥臂IGBT的发射极电位VE在0伏和母线电压V+之间变化。在AC200V电路中,要开通上桥臂IGBT时,需要对门极施加300V加15V,合计315V ...
2025-7-3 15:41
GPS訊號部分介紹
GPS訊號部分介紹
GPS的本質是一個基於碼分多址(CDMA)的擴頻(SS)通信系統。本文將詳細介紹GPS的信號部分。GPS衛星發射的信號按照結構可以分為三個層次:載波、偽碼和數據碼。在這三個層次中,偽碼和數據碼首先通過調製而依附到正 ...
2025-7-2 08:57
地铁供电系统谐波的产生原因和解决方案
地铁供电系统谐波的产生原因和解决方案
随着科学技术的发展,各种非线性和时变性电子装置如逆变器、整流器及开关电源等大规模使用,使得电力系统中谐波成分显著增加,其负面效应日益显见。“谐波污染”已经成为影响电能质量的主要因素之一,因此进行谐波治 ...
2025-7-2 08:48
体硅FinFET和SOI FinFET的差异
体硅FinFET和SOI FinFET的差异
本文简单介绍了体硅FinFET和SOI FinFET之间的结构差异与工艺差异。在半导体制造领域,晶体管结构的选择如同建筑中的地基设计,直接决定了芯片的性能上限与能效边界。当制程节点推进到22nm以下时,传统平面晶体管已无 ...
2025-7-1 08:59
电子衍射技术的原理与分类
电子衍射技术的原理与分类
本文简单介绍了电子衍射技术的原理与分类。随着半导体器件尺寸的不断缩小和性能要求的日益提高,应变工程半导体异质结构在现代电子器件中发挥着关键作用。准确表征这些复杂结构中的晶体缺陷对于理解材料性能和优化器 ...
2025-7-1 08:55

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