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初学入门

氮氧化镓材料的基本性质和制备方法: 来源：中国科学院半导体研究所一、氮氧化镓材料基本性质：可调宽禁带与多功能特性氮氧化镓(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一种介于晶态与非晶态之间的化合物。其物化性质可通过调控制备条件在氮化镓(GaN)与氧化镓(Ga ...; 2025-5-29 09:16

电池热管理系统技术的最新进展与性能对比: 作者：David Culliton et.al本文由爱尔兰东南理工大学的David Culliton等人合作撰写。本文综述了锂离子电池的产热机制，以及当前主流的四种电池热管理技术：空气冷却、液体冷却、基于相变材料的冷却和基于热电元件的 ...; 2025-5-29 09:13

MOSFET导通电阻参数解读: 导通电阻（RDSON）指的是在规定的测试条件下，使MOSFET处于完全导通状态时（工作在线性区），漏极（D）与源极（S）之间的直流电阻，反映了MOSFET在导通状态下对电流通过的阻碍程度。二、测试方法1）施加栅源电压 VGS ...; 2025-5-29 09:11

LLC谐振转换器和准谐振反激式转换器的工作原理及结构: 交流输入电源，不论是独立式的还是集成在电子设备中的，都会造成一定的能源浪费。首先，电源的效率不可能是100% 的，部分能量在电源大负载工作时被浪费掉。其次，当负载未被使用时，连接交流线的电源会以待机功耗的 ...; 2025-5-29 09:07

卫星通信测试方案详解: 太空早已成为人类探索的终极目标之一。在这片广袤的宇宙中，一场无声的太空竞争早已悄然进行。当我们仰望星空时，可曾想过在我们深邃的天空中，有着成千上万的人造地球卫星从头顶上掠过。从1957年前苏联发射世界第一 ...; 2025-5-27 08:29

定向自组装光刻技术的基本原理和实现方法: 本文介绍了定向自组装光刻技术的原理以及各种实现方法。定向自组装光刻技术通过材料科学与自组装工艺的深度融合，正在重构纳米制造的工艺组成。主要内容包含图形结构外延法、化学外延法及图形转移技术。BCP微相分离 ...; 2025-5-23 08:28

适合DIY 拆解九号电动车原装驱动器搭载雅特力AT32F415CCT7: 今天收到了粉丝寄来的一个九号电动车原装驱动器。由于这个原装驱动器持续电流只有30A，峰值也只有40A，爬不动坡，所以被换下来了。这个电驱的型号是ZWK048030A，制造商是高标。出厂日期是2024年6月的，算是比较新的 ...; 2025-5-23 08:21

DCDC开关电源设计要点: 一、DCDC开关电源原理（1）BUCK降压状态一:当S1闭合时，输入的能量从电容C1，通过 S1—电感器L1—电容器C2—负载 RL供电，此时电感器 L1 同时也在储存能量，可以得到加在 L1上的电压为: Vin-Vo=L*di/dton。状态二:当 ...; 2025-5-22 08:47

BLDC电机的基本结构和控制方式: 来源：攻城狮原创之设计分享直流无刷电机(BrushlessDCMotor，BLDC)是一种基于电子换向技术的高效电机，具有长寿命、低噪音和高功率密度的特点。相比于传统有刷直流电机，去掉了物理电刷和换向器，提高了寿命。配合FO ...; 2025-5-22 08:44

一文详解球栅阵列封装技术: 本文介绍了球栅阵列封装的结构、分类、应用和发展趋势。概述在集成电路封装技术的演进历程中，球栅阵列封装（Ball Grid Array，BGA）凭借卓越性能与显著优势脱颖而出，成为当今高集成度芯片的主流封装形式，广泛应用 ...; 2025-5-22 08:42

注入增强型IGBT学习笔记: 1、结构特点与典型工艺1.1结构提出与发展为了协调IGBT通态特性与关断特性及短路特性之间的矛盾，提高器件的综合性能和可靠性，在IGBT中引入了一种电子注入增强效应（Injection Enhancement Effect，IE），既可加强IG ...; 2025-5-22 08:40

如何精准提取MOSFET沟道迁移率: 沟道有效迁移率（µeff）是CMOS器件性能的关键参数。传统测量方法在高k介质、漏电介质与高速应用中易出现误差。本文介绍了UFSP（Ultra-Fast Single Pulse）技术如何准确提取迁移率，克服这些挑战。传统移动性测量及 ...; 2025-5-20 08:52

量子阱场效应晶体管介绍: 1.10 量子阱场效应晶体管前面的1.8节介绍了HEMT器件，但传统的HEMT器件虽然具有高迁移率、高频率等诸多优点，但其命门在于结构中的肖特基势垒栅极，这种结构的器件很难改善栅极漏电严重的问题，存在着逻辑摆幅较小、 ...; 2025-5-16 17:00

详解开关电源各种波形的由来: 1．单管反激电路基本结构2. 两种模式DCM 和CCM（1） CCM 和DCM 模式判断依据CCM 和DCM 的判断，不是按照初级电流是否连续来判断的。而是根据初、次级的电流合成来判断的。只要初、次级电流不同是为零，就是CCM 模式 ...; 2025-5-16 16:57

变压器分布电容对反激变换器的影响分析: 随着单端反激变换器在高频高压场合的应用,变压器寄生参数的控制对电路的正常运行以及性能优化尤为关键。文中对变压器分布电容对电路的影响进行了透彻分析,给出了一般性的模型,并以高输入电压低输出电压场合为例,对该 ...; 2025-5-16 16:56

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