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2022-8-18 16:01| 发布者: 闪电| 查看: 46| 评论: 0
图9.CM传递函数特性(a)、DM和CM阻抗(b)以及CM噪声频谱包络图(c)。
作为本例的一般观察
HCsw(s)与寄生开关相关电容在20MHz以下的低频段占主导地位。电容Cpcb变得更大而功率引线电容CLED-G往往在100MHz以上占主导地位。
图9b绘制了两个CSW值的计算出的DM和CM阻抗。更高来源的优势CM噪声的CSW相关阻抗低于10 MHz。同时图9c示出了CM噪声频谱基于具有50%占空比和上升的100 kHz开关波形,从模型获得的包络下降时间为100纳秒。
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