图4：。带辅助绕组（a）的反激变换器，a的集中CM寄生电容模型三绕组反激变压器（b）和使用双电容器的CM噪声等效电路 变压器型号（c）。 如果输入电容器作为CM噪声的低阻抗，则一次绕组的端子A对P-GND短路。 然后，利用简化的变压器双电容模型，用ZSE对电容耦合进行建模从S-GND到接地，图4c给出了CM噪声的最终等效电路模型（更多信息，请参见第7部分上下文和描述）。 方程式1提供了在线路阻抗稳定网络（LISN）处测得的CM噪声电压。清晰地电容CBD的减小会导致较低的噪声电压。
方程2给出了CBD的理论表达式，并使用第7部分中描述的技术进行测量根据方程式3：
通过增加方程式2中的负项，可以将CBD平衡为零[13]。最简单的方法是将电容器与C3并联在一次侧和二次侧之间的变压器端子a和C上。 该外部平衡电容器的值为CEXT=NPS*CBD。 类似地，如果CBD为负值（当VAD和VAB测量的电压异相时），连接天平在端子B和D之间，与C4并联的等于CBD绝对值的电容器可以实现平衡。 注意，如果方程式3中测得的VAD为零，则CBD实际上为零，基本上消除了CM噪声通过变压器。这是一个非常方便的测试，可以确定变压器是否平衡良好。 绕组设计 作为平衡电容器的替代方案，可以将变压器绕组层的位置安排为改善CM平衡。根据成对层的概念，[12-15]在一次侧和二次侧上有具有类似dv/dt的层；因此，它们的重叠不会产生CM噪声。平均值绕组间电容两端的电压具有相似的振幅和极性，因此使通过电容的CM电流最小化或为零。
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