图5：。六种可能的双电容CM模型（a）和一种双电容CM模型及其戴维南等效电路（b）。 反激调节器CM噪声模型 图6显示了带有初级、次级、辅助和屏蔽绕组的反激变压器的CM模型（与图3类似，但包含一次接地屏蔽绕组）。NA和NSH分别是初级到辅助绕组和初级到屏蔽绕组的匝数比。 当电流流动时，不考虑从一次绕组到辅助绕组以及从一次绕组到屏蔽绕组的耦合仅在一次侧，不返回LISN，因此不会产生测量的CM噪声。因此三个四电容电路足以模拟一次到二次、辅助到二次和屏蔽到二次耦合。基于作为CM噪声低阻抗的输入电容器一次绕组对PGND短路。
图6：。多绕组反激变压器的集中CM寄生电容模型（a）、双电容CM模型（b）和戴维南等效电路（c）。
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