图5：。两种常规的横向环路布局设计。 改进的PCB布局设计 图6示出了一种改进的布局，其优点是减少了功率环路面积，提高了多层结构。该设计使用PCB的第2层作为电源回路回路。 [7,8,9]此返回路径为位于顶层正下方，创建一个小的物理循环大小。流向相反方向的水流垂直回路中的方向提供场自抵消，进一步降低寄生电感。侧视图图6所示示示出了在多层PCB中创建低轮廓自消除环路的概念结构四个0603输入电容器，0402或0603外壳尺寸小，ESL低（CIN1至CIN4，位于图6）中的大容量输入去耦电容器CIN5和CIN6尽可能靠近高压侧MOSFET。 这些电容器的回路连接通过多个12密耳通孔连接到第2层接地层。 第2层接地层直接在MOSFET下方提供电流返回路径，以到达源低端MOSFET的端子。 此外，开关节点铜多边形仅包括电感器的焊盘和最小面积需要连接到MOSFET。接地板铜屏蔽连接MOSFET的多边形浇注电感器端子。SW和BST的单层布局意味着高dv/dt的过孔不会出现在PCB的底部。这避免了EMI测试期间电场耦合到参考接地层。
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