本系列文章的第1部分至第5部分提供了一些实用的指南和示例，以减轻辐射电磁干扰（EMI），[1-5]专门针对具有单片式集成功率MOSFET。[5] 作为这些早期部分的续篇，本文探讨了dc dc中的EMI抑制采用控制器驱动一对分立的高侧和低侧功率MOSFET的调节器电路。 一种使用控制器和外部MOSFET（如同步降压调节器电路）的实现图1所示提供了许多优点。其中包括提高电流能力；更好的热性能表演在设计选择、组件选择和可用性方面具有更高的灵活性 功能。然而，从EMI的角度来看，使用分立FET的控制器解决方案要多得多设计和实现带有集成FET的转换器具有挑战性。 这里有两个主要考虑因素。首先，功率级的印刷电路板（PCB）布局MOSFET和控制器不能像具有优化引脚和内部栅极的功率转换器IC那样紧凑驱动程序。[5] 其次，在MOSFET开关的转换器中，死区时间管理通常更精确时代具有充分的特征。因此，车身二极管的导通时间更短，从而改善与反向恢复相关的切换性能和低噪声。 本文提供了使用MOSFET和控制器可实现卓越的EMI性能。当务之急是最小化关键回路寄生电感通过仔细的功率级元件选择和PCB布局。布局示例表明这是可能的在不牺牲效率或热的情况下，减少传导电磁辐射的产生性能指标。
图1：。驱动功率MOSFET Q1和Q2的同步降压控制器示意图。
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