两个外壳尺寸为0402或0603的小电容器，在图6中指定为CIN1和CIN3，放置位置尽可能靠近IC可以配置最小输入环路面积。循环电流产生相反的磁矩，导致H场抵消，从而降低有效电感。进一步减少寄生电感，在PCB（紧靠顶层电源电路下方）支持场自消除效应。 使用两个陶瓷输出帽，CO1和CO2，电感器每侧一个，类似地优化输出电流回路。输出端有两条平行的接地回路，将回路电流一分为二，有助于以减轻“地面反弹”效应。
图7：。仅在PCB顶层布线的功率级布局。 SW引脚位于IC的中心，以便辐射的电场被相邻的VIN和IC两侧的PGND引脚。接地层铜屏蔽连接IC SW引脚的多边形浇注电感器端子。单层SW和BOOT布局意味着高dv/dt的过孔不会出现在PCB的底部。这避免了EMI测试期间电场耦合到参考接地层。 包装设计 与优化的引脚配合，功率转换器IC封装设计是寻求改进的关键因素EMI签名。例如，TI的热棒封装技术使用引线框架上的翻转芯片（FCOL）消除通常会导致高封装寄生电感的功率器件导线连接的技术。 图8显示了IC被翻转过来，铜柱（也称为凸块或柱）位于IC直接焊接到引线框架上。这种施工方法可以实现高密度和低轮廓，如每个引脚直接连接到引线框架。从EMI的角度来看，最重要的是热棒组件与传统的引线键合封装相比，降低了封装寄生电感。[9]
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