近场耦合 图1概述了噪声源和受扰电路之间的基本EMI耦合模式。在里面特别是，感应或H场耦合需要一个时变、高di/dt电流源和两个磁性耦合回路（或具有回路的平行导线）。另一方面，电容或电场耦合需要时变、高dv/dt电压源和两块紧密间隔的金属板。这两种机制描述为近场耦合，其中噪声源和受扰电路非常接近，可以使用近场嗅探探头。 例如，现代电源开关，特别是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）基晶体管具有较低的输出电容COSS和栅极电荷QG，可以在极高的dv/dt和di/dt转换率。H场和E场耦合和串扰到相邻电路的可能性很高。 然而，随着耦合结构之间距离的增大，近场耦合显著减少，因为互感或电容减小。 远场耦合 经典电磁波以E和H场的组合形式传播。字段的结构辐射天线源附近是一个复杂的三维图案。从源头上看，EM远场区域中的波包括相互正交的E场和H场分量传播方向。图2描述了该平面波，[4]，因为它表示辐射的主要基础受各种排放标准限制的EMI。
图2：。电磁平面波传播。 图3中绘制的波阻抗是电场和磁场强度的比值。作为E和H远场区域中的元件彼此同相，远场阻抗为电阻，且给定通过麦克斯韦方程组的平面波解，如方程1所示：
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