只需一步,快速开始
扫一扫,访问微社区
2022-5-25 09:59| 发布者: 闪电| 查看: 34| 评论: 0|原作者: Timothy Hegarty
图2:。降压功率级和门驱动器“隐藏示意图”,包括电感和电容寄生元素。
功率级寄生电容方程1表示影响EMI和EMI的功率MOSFET输入、输出和反向转移电容开关行为作为图2所示终端电容的函数。这种内部MOSFET电容在开关转换期间需要高振幅、高频电流。
方程2的近似值表明COSS具有高度非线性的电压依赖性。方程式3给出了特定输入电压下的有效电荷QOSS,其中COSS-TR是与时间相关的有效输出
一些较新的功率FET器件的数据表中定义的电容。[11]
|关于本站|小黑屋|Archiver|手机版|无线电爱好网 ( 粤ICP备15040352号 )
粤公网安备 44030702001224号
GMT+8, 2022-7-29 15:39 , Processed in 0.124800 second(s), 18 queries .
Powered by Discuz! X3.4 Licensed
Copyright © 2001-2020, Tencent Cloud.