dc-dc转换器中半导体器件的高频开关是传导和辐射发射。本系列文章的第2部分【1，2】回顾了差模（DM）以及来自dc-dc转换器的共模（CM）传导噪声干扰。通过分离DM和CM在电磁干扰（EMI）测试期间，您可以从总噪声测量中获得噪声分量区分DM和CM贡献，从而简化EMI滤波器设计过程。CM噪声输入特别是可以控制高频传导发射，并且考虑到较大的传导回路面积，表示对辐射发射的产生有更大的贡献。 在第3部分中，我将全面说明降压电路的电感和电容寄生元件不仅影响EMI性能而且影响开关损耗的调节器电路。通过了解负责电路寄生的贡献，您可以采取措施将其最小化并降低总体EMI签名。一般来说，紧凑、优化的功率级布局不仅可以降低EMI，便于调节法规遵从性，但也提高了效率并降低了总体解决方案成本。 检查具有高转换率电流的关键回路在将电源原理图转换为电路板布局时，一个关键步骤是确定高转换率电流（高di/dt）回路，旨在识别布局感应的寄生或杂散电感导致过度噪音、振铃、过冲和地面反弹。图1中的功率级示意图显示了同步降压控制器分别驱动指定为Q1和Q2的高侧和低侧MOSFET。
图1：。buck变换器中具有高转换率电流的临界高频开关回路功率级。
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