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EMC/EMI技术

利用混成式共模电感抑制传导电磁干扰: EMI抑制方案有许多组合，包括滤波器组合、变压器绕线安排，甚至PCB布局。本文提供一种结合共模电感与差模电感的磁混成，称之为混成式共模电感器。不仅保留共模电感的高阻抗特性，同时利用其很高漏电感当成差模电感用 ...; 2024-3-19 09:28

实用技巧：如何在降压转换器中减少电磁干扰（EMI）: 在开关模式降压转换器中，如何缓解电磁干扰（EMI）是一个常见的议题。EMI通常由高频电流流动所引起。本应用笔记首先讨论了由输入电流引起的EMI问题，并提出相对应的解决方案，以及其他更多如何减少EMI的方法。在文末 ...; 2024-3-19 09:09

以太网和工业应用中防范浪涌事件的理想方法: 采取适当的预防措施，可以防止雷击对以太网连接设备造成损坏。使用保护元器件的传统方法可能不完全有效，我们还需要辅以另外一种方法，其灵感基于对雷击能量传递给以太网电缆和相连设备的基础机制的深入分析，本文会 ...; 2024-1-25 09:28

次級輸出整流管放在高端或低端EMI差異原因: 反激變換器次級輸出整流二級管或同步MOSFET，放在高端（輸出電源端）或放在低端（輸出地端），這二種情況下，電源系統EMI結果會有較大差異。通常，其放在高端EMI效果更好、餘量更大，下面就來分析這個原因。開關電源 ...; 2023-12-27 13:33

車載音頻EMI的產生及典型音頻功放AW836XX的解決方案: 1. EMI定義與分類電磁干擾（Electromagnetic Interference，EMI）是干擾電纜信號並降低信號完好性的電子噪音，EMI通常由電磁輻射發生源產生。電磁干擾EMI(Electromagnetic Interference)，分傳導干擾和輻射干擾兩種 ...; 2023-12-27 10:48

電磁干擾-變壓器設計規劃與經驗法則: 預防總是勝於治療，一開始良好的變壓器設計，可以減低後續不必要的零件與驗證成本。因此基於此理念，探討有關變壓器設計問題。系統設計工程師解決棘手的電磁干擾問題時，本文將可提供實務理論與經驗協助產品開發，縮 ...; 2022-11-24 15:50

NCP1680 Totem Pole PFC EMI and Surge: 2022-10-25 14:31

电源EMC问题解析二: 四、不同频段EMC设计整改技巧1、传导部分原理说明：传导干扰来源于差模电流噪声和共模电流噪声，这两种类型的噪声干扰见图所示。Y电容直接和传导干扰相关。1)差模电流在两根输入电源线间反方向流动，两者相互构成电 ...; 2022-8-23 10:47

电源EMC问题解析一: 一、EMC相关介绍EMC:Electromagnetic Compatibility, 电磁兼容性，国标GB/T4365-1995里对电磁兼容所下的定义是：设备或系统在其电磁环境中能正常工作且不对该环境中任何事物构成不能承受的电磁骚扰的能力。EMI:设备 ...; 2022-8-23 10:46

DC-DC转换器电磁干扰工程师指南（第13部分）：预测共模传导噪声谱 ... ... ... ...: 由功率器件在dc内切换引起的高频和高边缘速率电压和电流转换器可在内部产生频谱丰富的传导和辐射电磁干扰（EMI）转换器本身以及附近易受影响的电路中。这可能导致产生传导电流振幅超过适用标准规定频带内允许限值的 ...; 2022-8-18 16:01

用于直流电源的模块化EMI交流线路滤波器: 对于交流电源供电的设备，通常的做法是使用模块化交流线路滤波器，该滤波器集成到连接器中或作为机箱安装部件安装，尤其是在工业、医疗保健和 ITE等专业环境中。该设备通常包括嵌入式 AC-DC 转换器或电源，也可能安 ...; 2022-8-11 09:56

Infineon——Psoc Creator使用方法之触摸EMC: 1、电磁兼容性（EMC）注意事项EMC与电磁能量的生成、传输和接收有关，此电磁能量可能会扰乱电子系统的工作。来源（发射方）产生辐射，然后一个传输或耦合路径会将辐射能量传输至接收方，即对辐射能量进行处理的地方 ...; 2022-8-2 10:47

如何解决共振引起的EMC问题: 1. 共振的原理共振可以说是一种宇宙间最普遍和最频繁的自然现象之一，在某种程度上甚至可以说共振就没有世界。共振现象在生活中也被广泛应用，荡秋千暂且不论，看的电视，上的网络，甚至是眼睛看到的一切事物，都是 ...; 2022-8-1 11:11

基于LT8551相位扩展器构建高功率升压转换器: 工程界普遍认为，当升压转换器必须提供高输出电压、在低输入电压下工作、提供高升压比或支持高负载电流时，需使用多相位功能。相比单相位设计，多相位升压设计有多项优势，包括：提高效率、改善瞬态响应，以及降低输 ...; 2022-8-1 09:46

关于SiC MOSFET短路Desat保护设计: 1什么是DesatDesat保护是功率MOSFET和IGBT保护中很重要的概念，下面我们用图一所示是一个简化的MOS剖面图，以此来阐述退饱和发生的原因。栅极施加一个大于阈值的正压VGS，则栅极氧化层下方会形成导电沟道，这时如果 ...; 2022-8-1 09:44

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