簡單五步驟 晶片真偽速現形

「舊元件回收，包裝後當新的賣」、「低規格裸Die，被封裝在高規格的

Package出貨」、「低規元件編號抹除，重新打上更高規格元件編號」，

以上狀況，在晶片通路市場一直時有所聞，此問題在2021年更加猖狂，

因Covid-19疫情，在家辦公等數位轉型趨勢加速擴大，全球歷經了一

場始料未及的「晶片荒」，影響擴及個人電腦（PC）、手機、資料中

心及其他終端消費型電子產品。來到2022年，消費型晶片短缺現象已

逐步緩解，但工業用及車用IC缺貨的問題仍就存在。當不肖晶片通路商

拿假IC魚目混珠充當真品販賣，劣質晶片使得產品良率亮紅燈，進而衝

擊公司信譽與形象，採購方該如何是好?

該如何解決此狀況呢? 在宜特實驗室累積多年厚實的半導體驗證分析經

驗裡，我們歸納出鑑別晶片真偽可以留意的內容，包括元件編號、日

期、製造商、焊接腳等外觀/封裝型式，以及內部IC打線、晶粒(Die) 

尺寸，更深入的確認電性特徵等，簡單五步驟的分析流程，讓晶片是真是假速現形。

圖一:晶片真偽分析解決方案五步驟

第一步驟 : 外觀檢查

透過3D OM，確認樣品的外觀、厚度、標記(marking)、流水號、

封裝樣式等是否相同(圖二)

圖二: 透過3D-OM，確認marking及封裝材料的各項參數。

第二步驟 : 打線確認

藉由2D-XRay檢查樣品內部的打線或封裝型式是否相同。如果有機會

照到Die，也可以量測其尺寸與厚度來進行比較(圖三)。

圖三: 透過2D X-Ray，確認打線、Die尺寸與厚度。

第三步驟 : 電性量測

將所有引腳分別接地(Pin to GND)，或進行I-V Direct Current(DC)量測。

例如我們可以設定固定電壓範圍及限電流，快速量測比對樣品各腳位的

電性特徵(圖四)。

圖四: 透過I-V Curve，確認各腳位的電性特徵是否有差異。

第四步驟 : 晶片開蓋

將樣品開蓋去除黑膠(Decap)，藉以觀察Die面的電路佈局狀況、

Die的尺寸與打線的線徑，同時，也可以檢查晶片製造商的logo

是否相同(圖五)。

圖五: decap後的各項參數量測

使用雙束聚焦離子束(Dual Beam FIB)工具，在欲比對的樣品相同處的

密閉環( seal ring)，或指定位置進行斷面(剖面)觀察，藉以確認製程資

訊是否相同 (圖六)。

圖六:透過DB-FIB，確認樣品的製程資訊。