5．寄生沟道和电荷分散 任何位于硅表面之上的导体都可能诱生寄生沟道。当有了合适的源区和漏区时，即使没有导体作为栅极，沟道也能形成。这种沟道形成的潜在机制称为电荷分散。 影响：引起模拟电路的参数漂移
图 （A）标准双极工艺的寄生PMOS管；（B）CMOS工艺的N阱寄生NMOS管 |
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