失效机制及版图设计技巧

    3．雪崩诱发β衰减

    双极型晶体管的发射结雪崩会显著地减少其β值。

    影响：雪崩诱发β衰减在集电极电流较小时会引起β减小，但在中等或大集电极电流的情况下对β值没有明显影响。

    防护措施：增大掺杂、减小器件发射结反偏电压额定值、ESD箝位保护。

    4．负偏置温度不稳定性

    定义：当栅极相对源极和背栅负偏时，该机制引起阀值电压的逐渐漂移，高温会加剧该过程。

    影响：当PMOS晶体管的栅极相对硅来说为负偏时，将产生负偏置温度不稳定性；当PMOS晶体管的栅极相对硅来说为正偏时，将产生正偏置温度不稳定性。

    防护措施：实践中通过改进的操作技术减小栅氧化层在潮湿空气中的暴露时间，可以减少负偏置温度不稳定性，而正偏置温度不稳定性不会引起太多问题，通过简单的电路调整可以避免。