失效机制及版图设计技巧

    3．防护措施：更纯净的化学试剂和更先进的工艺技术；掺磷；划封，如下图所示：

图 单层和双层金属CMOS或BｉCMOS工艺中的划封。

    在划片线上可放置不同的扩散区，具体取决于制造者

 表面效应包括：热载流子注入、齐纳蠕变、雪崩诱发β衰减、负偏置温度不稳定性和寄生沟道和电荷分散。

    1．热载流子注入

    如果在硅表面附近有强电场，那么部分由强场产生的热载流子据具有足够的能量进入氧化层，这种机制称为热载流子注入。

    影响：它可引起MOS晶体管的严重看靠性问题。

    防护措施：重新设计受影响器件、选择器件的工作条件、改变器件的尺寸减小阀值电压漂移。