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失效机制及版图设计技巧

2015-4-22 12:44| 发布者: 闪电| 查看: 95| 评论: 0

摘要: 知识点一 电过应力 电过应力(EOS)是指由对器件施加过大电压或电流而引起的失效。版图预防措施可以减小4种常见类型EOS失效发生的可能性:静电泄放(ESD)、电迁徙、介质击穿及天线效应。 1.静电泄放 静电泄放是由 ...


 1.干法腐蚀

    在潮湿环境中,暴露于离子污染物的铝金属系统会被腐蚀。只需要微量的水就可以进行这种所谓的干法腐蚀。

    影响:水本身不会腐蚀铝,但许多溶于水的离子物质可形成腐蚀性溶液。

    防护措施:在保护层上采取一些措施可以降低影响。

    2.可动离子沾污

    碱金属即使在室温下仍然可以在二氧化硅中自由移动,其中,钠离子是最常见的一种。

    影响:可动离子玷污会引起参数漂移,最明显的是MOS晶体管的阀值电压。下图中,图A显示了制造过程中被钠离子玷污的NMOS晶体管的栅氧化层。图B显示了在正的栅偏压下工作了一段时间的同样的栅介质。

图 偏压下可动离子的运动:

    (A)离子随机分布在氧化层内;(B)正栅压下的移动



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