1.干法腐蚀 在潮湿环境中,暴露于离子污染物的铝金属系统会被腐蚀。只需要微量的水就可以进行这种所谓的干法腐蚀。 影响:水本身不会腐蚀铝,但许多溶于水的离子物质可形成腐蚀性溶液。 防护措施:在保护层上采取一些措施可以降低影响。 2.可动离子沾污 碱金属即使在室温下仍然可以在二氧化硅中自由移动,其中,钠离子是最常见的一种。 影响:可动离子玷污会引起参数漂移,最明显的是MOS晶体管的阀值电压。下图中,图A显示了制造过程中被钠离子玷污的NMOS晶体管的栅氧化层。图B显示了在正的栅偏压下工作了一段时间的同样的栅介质。
图 偏压下可动离子的运动: (A)离子随机分布在氧化层内;(B)正栅压下的移动 |
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