失效机制及版图设计技巧

    防护措施：集成电路应尽可能少地向衬底注入电流．对衬底接触的精确要求。

    工艺方案：标准双极工艺采用轻掺杂衬底和重掺杂隔离区；CMOS和BiCMOS工艺采用重掺杂衬底和轻掺杂外延层。

    2．少子注入

    耗尽区建立的电场排斥多子，但是不能阻止少子流动。如果所有隔离结都正偏，就会向隔离区注入少子。

    影响：少子注入会引起电路闩锁。 阻止CMOS闩锁的最明显方法是减少其中一支或两寄生晶体管的β值。

    防护措施（衬底注入）：消除引起问题的正偏结、增大器件间距、增大掺杂浓度、提供替代的集电极来除去不希望的少数载流子。

    防护措施（交叉注入）：收集空穴环、采用一种称为P型棒的少子保护环。