防护措施：通过在所有隔离区内设置基区抑制NMOS沟道的形成；CMOS工艺使用沟道终止来提高厚场阈值；设置场板可提供防止寄生沟道形成和电荷分散效应的全面保护。 寄生效应包括衬底去偏置、少子注入和衬底效应。 1．热载流子注入 足量的去偏置可能引起一个或多个隔离结正偏，并向电路中注入少子。
图 标准双极工艺芯片剖面图，显示了由衬底电阻Ｒｓ引起的潜在衬底去偏置效应 |
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