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NMOS晶体管概述

2015-4-22 12:29| 发布者: 闪电| 查看: 115| 评论: 0

摘要: 知识点一 NMOS晶体管概述 1.NMOS晶体管的简化三端电路模型: NMOS晶体管在栅极和晶体管的其余部分之间存在绝缘层,没有直流电流从栅极流过。电容CGS和CGD分别代表由栅介质产生的栅源电容和栅漏电容。电容符号上绘 ...


    5.按比例缩小理论常用于转换现有的数字版图使之可采用更新的工艺实现。设计者只需简单的运行一个可把所有数据按特定比例缩小的程序,而不用辛苦地重新设计版图。这种类型的按比例缩小称为光学收缩(optical shrink),因为它与使用光学方法使用现有掩膜缩小的结果相同。

    6.光学收缩对所有尺寸的影响相同,但是有些尺寸比其他尺寸更难按比例缩小。选择性栅极尺寸收缩所带来的好处略小于完整的光学收缩。

    7.按比例缩小定律最早从数字工艺发展而来。CMOS逻辑电路按比例缩小后的结果与预期结果相同,但对于模拟电路或混合信号电路并非如此。

图 按比例缩小的MOS晶体管实例:(A)比例为100%;(B)光学收缩至80%;

    (C)有选择地绘制栅长收缩至100%。为了清楚起见,图中未绘制阱

   1.图11.7(A)显示了一种由3个部分组成的晶体管版图,这些并行的叉指不仅使对宽长比的调整更加便利,而且由于相邻的部分共享源.漏叉指,从而节约了面积。相邻源/漏叉指的合并也使寄生结电容的减小达到50﹪。被分成偶数个部分的晶体管的源/漏叉指数目总是奇数(11.17B)

图 划分成部分的晶体管:(A)3个部分;(B)4个部分,叉指分别标注了

    S(源极)、D(漏极)和BG(背栅)。为了清楚起见,图中未绘制阱



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