NMOS晶体管概述

    3．与双阱工艺相比，单阱工艺简单且成本低，但亚微米工艺通常需要两种阱。

    4．由于某些原因，N阱工艺要优于P阱工艺。N阱工艺的衬底可以与公共地相相连，但P阱工艺的衬底必须与电源的最高位相连。P阱工艺不适用于多电源系统。

 采用NatVT的自然晶体管版图：

    1．理想情况下晶体管的阈值电压应该在0.6～0.8V之间。天然的或固有阈值电压取决于栅和背的掺杂及栅氧化层的厚度。自然NMOS的本征阈值通常恰好低于0.6V,而自然PMOS本征阈值的幅度恰好大于0.8V。