NMOS晶体管概述

（B）具有收集电子保护环的NMOS

  1．使用P型外延层，必须加入深的轻掺杂N型扩散区用于制作PMOS晶体管(图A)；使用N型外延层，必须加入深的轻掺杂P型扩散区用于制作NMOS晶体管(图B)；这种深扩散区通常称为阱，N型的成为N阱，P型的成为P阱。

    2．有些工艺既包括N阱也包括P阱。在双阱工艺中，NMOS做在P阱中，而PMOS做在N阱中。