NMOS晶体管概述

    2．两种类型的PMOS晶体管（A）增强型PMOS；（B）耗尽型PMOS

    3．MOS管的器件跨导会随着温度的升高而降低。1500C时器件的跨导值约等于250C时的一半。

  当源/漏扩散区相对背栅正偏时，会向邻近器件的反偏结注入少子。相邻的NMOS和PMOS晶体管相互交换少子会引发CMOS闩锁效应。

    少子保护环可以防止闩锁效应，但是在CMOS工艺中不易实现。

图 用于保护N阱CMOS晶体管的保护环实例：

（A）具有收集空穴保护环的PMOS；