NMOS晶体管概述

    4．阈值电压Vt是指当背栅与源极连接在一起时使能栅介质下面恰好产生沟道所需要的栅源电压。MOS管的阈值电压与以下因素有关：栅极电材料，背栅掺杂，栅氧化层厚度，表面态电荷密度，氧化层中的电荷密度（固定点荷和可用电荷）。

 1．自对准硅栅NMOS晶体管的背栅由生长在P+衬底上的P型外延层构成。相邻晶体管之间的区域叫做场区。

    版图　　　　　　　　　　　　　　　　　　剖面图

    2．一个简单的N阱CMOS工艺工需要7块掩膜：N阱，沟槽，多晶硅，NSD，PSD,接触孔，金属，以及保护层。其中下图（A）利用NSD,PSD和沟槽掩膜层编码；（B）利用NMoat和PMoat编码层。