NMOS晶体管概述

    D.曝光的氧化层区域被刻蚀掉，此后继续进行栅氧化

    E.在刻蚀过的区域上形成了薄栅氧化层，而未经过任何处理的区域上则成为厚氧化层

    F.现在淀积一层多晶硅就可以形成薄氧和厚氧晶体管的栅极

    在刻蚀过的区域上形成了薄栅氧化层，而未经过任何处理的区域上则成为厚氧化层。下图对比了分阶段氧化与刻蚀－－再生长两种方法的版图。