NMOS晶体管概述

    A.先生长最薄的栅氧化层，然后再淀积第一层多晶硅

    B.光刻后，多晶硅就作为连续栅氧化层掩膜

    C.在栅氧化层完成后，淀积第二层多晶硅并光刻

    如果只有一层多晶硅的工艺可以使用刻蚀—再生长技术代替分阶段氧化，则刻蚀—再生长工艺无须多一次多晶硅淀积，而要增加一步掩膜步骤。