NMOS晶体管概述

    下图显示了对称与非对称扩展漏区PMOS晶体管的版图。在两种情况中，绘制栅长等于栅下面跨越沟槽的距离。晶体管中必须包括NBL以阻止纵向耗尽穿通轻掺杂的N阱底部以及漏区到衬底的短路。

采用分阶段氧化或刻蚀－－再生长技术可实现多层栅氧化。分阶段氧化（stage oxidation）需要对每个栅电极进行单独的多晶硅淀积。