NMOS晶体管概述

    2．扩展漏区PMOS晶体管

    图12.7(A)显示了采用N阱CMOS工艺制作的非对称扩展漏区PMOS晶体管的剖面图。扩展漏区的漂移区由P型沟道终止注入构成。图12.7（B）显示了对称扩展漏区PMOS晶体管，它的源端和漏端都采用沟道终止注入形成漂移区。

图 PMOS晶体管剖面图：（A）非对称扩展漏区结构；（B）对称扩展漏区结构