NMOS晶体管概述

    对称扩展漏区NMOS晶体管如图（B）所示，晶体管的两端都采用扩展漏区。对称晶体管无论哪一端作为漏区，都可以承受大的源/漏电压

    下图显示了对称与非对称扩展漏区NMOS晶体管的版图。N阱的极轻掺杂抑制了热电子的产生，所以正确设计的扩展漏区NMOS晶体管的工作电压额定值仅受阱－衬底结雪崩电压和场释放结构有效性的限制。