NMOS晶体管概述

  1．扩展漏区NMOS晶体管

    图12.5（A）显示了采用N阱CMOS 工艺制作的典型扩展漏区晶体管的剖面图，所示为非堆成扩展漏区NMOS晶体管。该晶体管只有一侧具有扩展漏区结构，这使版图的结构相对紧凑，但是如果晶体管的任何一端都可能出现高压的话它就不再适用了。