NMOS晶体管概述

    3．在许多需要LDD或者DDD NMOS晶体管的应用中仍使用普通的PMOS晶体管。PMOS器件只需要一次源/漏注入，所以也叫做单扩散漏区（SSD）晶体管。SDD　PMOS具有氧化侧壁隔离的结构，也叫埋层沟道轻掺杂漏区（BCLDD），如下图。

    4．现代亚微米CMOS工艺拓展了轻掺杂漏区技术，不再对整个背栅惊醒相同的掺杂，而是只注入轻掺杂漏区周围的部分区域形成重掺杂。这些区域称为口袋注入，或者穿通阻止。如下图所示。口袋注入可以减小阈值电压的背栅调制效应，否则这将成为亚微米器件中的一个很严重的问题。