NMOS晶体管概述

  1．所有的扩展电压晶体管都包含某种特殊的漏区结构，这种结构可以吸收一部分穿越沟道的电场，下图为饱和MOS管中穿过漏区端的横向电场强度曲线。

    2．漂移区的宽度决定了漏极耗尽区的宽度Xd。漂移区应该做得恰好足够宽以支持所期望的工作电压，但不能过宽。人们利用不同形式的自对准技术已经开发出几种可以控制漂移区宽度的器件结构。为了使交叠电容最小，漂移区应与掺杂漏区以及多晶硅栅自对准。下面为2种满足这些要求的结构：轻掺杂漏区（LDD）与双扩散漏区（DDD）。