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NMOS晶体管概述

2015-4-22 12:29| 发布者: 闪电| 查看: 96| 评论: 0

摘要: 知识点一 NMOS晶体管概述 1.NMOS晶体管的简化三端电路模型: NMOS晶体管在栅极和晶体管的其余部分之间存在绝缘层,没有直流电流从栅极流过。电容CGS和CGD分别代表由栅介质产生的栅源电容和栅漏电容。电容符号上绘 ...


    3.热载流子注入:强电场也可以产生具有足够能量的热载流子。最早的EPROM通过源自雪崩击穿结的热载流子注入进行编程。这种EPROM中使用的浮栅器件称为浮栅雪崩注入金属氧化物半导体(FAMOS)晶体管。

图 FAMOS晶体管解剖图

    4.Fowler-Nordheim隧穿:Fowler-Nordheim隧穿可向浮栅注入热电子,也可把热电子从浮栅中去除。浮栅隧穿氧化层(FOTOX)晶体管就是利用此效应进行编程与擦除的,如下图。



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