NMOS晶体管概述

图 其他形式的背栅接触孔：（A）叉指状背栅接触孔；（B）分布式背栅接触孔

  浮栅由完全被氧化层包围的多晶硅组成，可以使用热载流子注入的方法向栅极中注入电荷，使晶体管从非导通状态转换到导通状态，对晶体管进行编程。载流子需要约3.2eV的能量越过氧化层－－硅界面，因此对浮栅器件进行行编程或者擦除需要产生能量大于3.2eV的载流子。

    4种常用工艺可以产生所需的能量：1）加热；2）电离辐射；3）热载流子注入；4）Fowler-Nordheim隧穿。

    1．加热：把晶圆加热到4000C～5000C时，能产生少量的高能载流子，同时也会达到由于高温使得相对较少的电荷逐渐泄漏掉的目的。但最终得到的器件不能通过烘烤泄放电荷，因为高温会引起塑料的分解和加速金焊线与铝金属之间化合物的形成。

    2．电离辐射：电离辐射也能产生高能载流子。一种紫外线光子的能量大约为4.9eV，它能够在几分钟内把浮栅器件的信息擦除，但同时也会影响器件的正常工作。因此紫外线照射只能用来擦除未上电的器件。注意：模拟电路不采用紫外线擦除。