NMOS晶体管概述

    2．这种闩锁效应可以建立数学模型。假设测试电流IT流过MOS晶体管M1的源/漏结。为了防止M1和互补MOS晶体管M2之间发生闩锁效应，下面的不等式中至少应有一个成立：

    3．NMOS的背栅必须连在低于或等于源极的电位上而PMOS的背栅必须连在大于或等于源极的电位上。在很多应用中都把背栅与源极相连，然而一些晶体管会工作在很难或无法区分源极和漏极的情况下，这时必须把背栅连到与源极不同的电位，并通过体效应提高阈值电压。

图 （A）邻接的背栅接触孔实例；（B）分离的背栅接触孔实例

    4．多叉指的大晶体管需要把衬底接触孔做在其体内区，这通常可以通过该每隔一段距离放置一个贯穿晶体管的条状衬底接触孔实现（见图11.24A）。尽管这些叉指状衬底接触条缩短了与衬底接触孔之间的距离，但同时也显著增大了晶体管的面积。有些工艺语序另一种类型的衬底接触孔，由置于晶体管源区叉指内部小孔的小面积塞状背栅扩散区构成（11.24B）。