NMOS晶体管概述

    5．MOS晶体管的漏区电容限制了其开关速度和频率响应。为了能够确实提高开关速度，就必须减小漏区电容与晶体管宽度之比CD/w。环形晶体管将提供最小的CD/w值，但会以增大源区电容为代价减小漏区电容。

    6．环形晶体管有两种基本类型：一种是采用正方形的栅极（见图11.21A），另一种是采用圆形的栅极（见图11.21B）。

图 环形MOS结构：（A）方形；（B）圆形

  1．所有MOS晶体管都需要对背栅进行电连接，即使一般情况下没有电流流过这些连接。没有背栅接触孔或者背栅电阻过大的晶体管很容易发生闩锁效应。