NMOS晶体管概述

    2．不相同的宽度需要使用带有凹口的沟槽（图11.8），图中的晶体管M1和M2公用一个源区，故漏区叉指占据着阵列的两端。对于这种结构不能使用相邻的背栅接触孔，所以将背栅接触孔放置在与器件存在一定距离的位置。

图 合并晶体管M1和M2共用一个源极（为了清楚起见，图中未绘制阱）

    3．CMOS版图使用了合并器件从而节约了面积且减小了电容。图11.19显示了一个简单的二输入与非门（NAND）的版图，并以此为例展示了许多常用的技术。