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有源器件双极晶体管及其版图

2015-4-22 11:25| 发布者: 闪电| 查看: 64| 评论: 0

摘要: 下图是一个NPN晶体管的简化模型,二极管D1代表晶体管的发射结、电流控制电流源I1代表通过反偏集电结的少子电流。电流增益是βF。端电流有如下关系:IC=βF*IB。 与MOS管不同,BJT要求有稳定的基极电流以维持集电极 ...


    大多数小尺寸晶体管都采用正方形或者矩形发射区,这样既能充分利用面积又可保持大的面积-周长比,更大的发射区会更加深入基区,从而减小中性基区的宽度。

    为了使发射极电阻降到最小,发射区接触孔应尽可能的多覆盖发射区。

    为了节省面积,通常只在发射区的一侧形成基区接触孔,从而减小基极电阻。

图 两种类型的NPN晶体管:(A)集电极—发射极——基极(CEB)型;

    (B)集电极—基极—发射极(CEB)型



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