大多数小尺寸晶体管都采用正方形或者矩形发射区,这样既能充分利用面积又可保持大的面积-周长比,更大的发射区会更加深入基区,从而减小中性基区的宽度。 为了使发射极电阻降到最小,发射区接触孔应尽可能的多覆盖发射区。 为了节省面积,通常只在发射区的一侧形成基区接触孔,从而减小基极电阻。
图 两种类型的NPN晶体管:(A)集电极—发射极——基极(CEB)型; (B)集电极—基极—发射极(CEB)型 |
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