1)集电结电容CBC和集电区-衬底结电容CCS限制了晶体管的工作频率。 2)二极管DBE,DBC,DCS的雪崩击穿电压限定了晶体管的工作电压。 3)RE,RB,RC分别代表发射区、基区和集电区扩散形成的集成电阻 1.标准双极型NPN晶体管 标准双极型NPN晶体管的关键特征如下图所示。
构造小信号NPN晶体管,小信号NPN晶体管通常采用正方形或者矩形的发射区。 |
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